На сайте 100500 рефератов в 150 категориях	Искать реферат
Рефераты на 5 с плюсом С нашим сайтом написать реферат проще простого

Влияние неоднородных областей на подвижность носителей тока в твердых растворах Si1-хGex

Категория: Физика, Астрономия

версия для печати

Страница: [1]

Влияние неоднородных областей на подвижность носителей тока в твердых

растворах Si1-хGex

Вопрос о механизмах рассеяния, определяющих подвижность носителей в твердых растворах Ge1-xSix и Si1-хGex, рассматривались в ряде статей [ 1, 2] и продолжают оставаться актуальными. В работе [1] было сделано предположение, что причины уменьшения подвижности в этихкристаллах при увеличении концентрации неосновной компоненты одни и те же. Авторы [1] проводили исследование подвижности носителей тока в твердых растворах Ge1-xSix с точки зрения существования неоднородностей распределения неосновной компоненты, вполне обоснованно (см. напр. [3]). Для определения влияния таких флуктуаций состава на кинетические эффекты были использованыподход, разработанный в статье [4]. Исследования в диффузионном приближении влияния неоднородных областей (НО) позволило удовлетворительно описать поведение подвижности в достаточно широком температурном интервале.

Изучение фононных спектров монокристаллов Si1-хGex [5] показывает, что атомы Ge не образуют больших кластеров в решетке Si, но стремятся заниматьнесколько соседних узлов решетки. Это твердженння совпадает с результатами, полученными нами в статье [2], где доказано, что атомы Ge образуют группы из десятков атомов в зависимости от уровня легирования. Приведенные результаты дают основания для применения метода, который предложен в статье [1] для анализа подвижности носителей тока в твердых растворах Si1-хGex спозиций существования КА.

В статье [6] в диффузионном приближенные было получено выражение для холивськои подвижности:

, (1)

холивська подвижность в однородном полупроводнике,

— усреднение по всем возможным размещением НО.

Считая распределение НО равновероятны и учитывая тот факт, что наличие неоднородных областейприводит к возникновению потенциала Е, определяемый разностью уровней Ферми в матрице кремния и кластере Ge, имеем:

, (2)

.

для Si1-хGex и теоретические, рассчитаны по формуле (2).

, что согласуется с выводом о том, что атомы неосновной компоненты образуют небольшие группировки.

Таким образом, на основенаших результатов и данных работы [1] можно утверждать, что несмотря на ряд предположений, которые были сделаны, в рамках диффузионного приближения удается описать поведение подвижности носителей тока в твердых растворах Si1-хGex и Ge1-xSix в достаточно широком температурном интервале.

Литература

Шаховцов В.И., Шаховцова С.Ы, Шварц М.М., ШпинарЛ.И., Ясковец И.И. Подвижность носителей тока в твёрдых растворах Ge1-Six. / / ФТП .- 1989 .- Т. 23. В.1 .- с. 48-51.

Коровицкий А.М., Семенюк А.К. Исследование влияния изовалентнои примеси Ge на подвижность электронов в n-Si / / Фундаментальные и прикладные проблемы современной физики. Материалы II Международного Смакулового симпозиума. — М.: ТГТУ,Джура, 2000 .- 288 с.

/ / ФТП .- 1977 .- Т. 11, в. 2 .- С. 257-261.

Пекар С.И. Теория подвижности эффекта Холла и магнетосопротивления в электронных полупроводниках с заряженнымы дефектами / / ФТТ .- 1966 .- Т. 8, в. 4 .- С. 1115-1122.

Logan RA, Rovvell JM, Trumbore FA / / Phys.Rev., V.136, A1751 (1964).

Шпинат Л.И., Ясковец И.И.К теории проводимости и эффекта Холла в неоднородных полупроводниках / / ФТТ .- 1984 .- Т. 26, в. 6 .- С. 1725-1730.

Страница: [1]

версия для печати