На сайте 100500 рефератов в 150 категориях	Искать реферат
Рефераты на 5 с плюсом С нашим сайтом написать реферат проще простого

Электропроводность и оптическое поглощение стекол системы ZnSe-Ga2Se3-SnSe2

Категория: Физика, Астрономия

версия для печати

Страница: [1] [2]

Электропроводность и оптическое поглощение стекол системы ZnSe-Ga2Se3-SnSe2

Введение

80-90-е гг ХХ в. отличаются интенсивным развитием экспериментальных и теоретических исследований в области некристаллических материалов. Теперь можно утверждать, что следующий виток развития микроэлектроники состоится на базе аморфных полупроводников.

Цельютруда было исследование спектрального распределения коэффициента поглощения в области длин волн 500-2500 нм и удельной электропроводности стекол систем ZnSe-Ga2Se3-SnSe2.

Материалы и методы

Синтез стеклообразных сплавов квазипотрийних систем ZnSe-Ga2Se3- SnSe2 проводился из элементарных компонентов (для систем ZnSe-Ga2Se3-SnSe2) в вакуумированныхконтейнерах из тонкостенного кварца. Режим синтеза при нагревании до максимальной температуры аналогичен режиму для систем определенного класса. После выдерживания при максимальной температуре в течение 10 часов проводилось ее понижение с целью, чтобы она была на100-150 К выше температуры плавления этого сплава. Выдерживания при этой температуре составляло10 часов, после чего сплавы закаляли в 25%-ном водном растворе NaCl. Для предотвращения разбрызгивания расплава в объеме контейнера, а также уменьшения потерь на конденсацию из паровой фазы по стенкам последнего, применялось максимальное уменьшение величины ампулы и увеличение температуры в ее верхней части за счет теплоизоляции шнуровым асбестом.

Стекловидныйсостояние сплавов контролировался рентгенофазового (дифрактометр ДРОН-3М) и микроструктурным (микроскоп ММУ-3) анализами. В границы областей склоутворення вносились только те составы сплавов, для которых методы контроля не выявили кристаллических включений. Полученные стекла представляли собой монолитные слитки черного цвета с характерным блеском. В некоторых сплавах,сразу после закалки, происходило растрескивание, которое связано, скорее всего, с увеличением внутренних напряжений вследствие постепенного перехода от напряжений сжатия в наружных слоях, до напряжений растяжения — во внутренних.

Принадлежность определенного сплава к стеклам проверяли с дифрактограммах, которые снимали на рентгеновском дифрактометре ДРОН-3М (CuKa (-излучение).Дифракционную картину в непрерывном режиме регистрировали на ленту самописца. Скорость движения ленты — 0,72 м / год, счетчика — 2 град / мин, величина диаграммы — 0,25 и 0,5 мм. На дифрактограммах стекловидных образцов наблюдались характерные «галло», наличие которых свидетельствует об отсутствии дальнего порядка в структуре сплава.

Для оптическихизмерений проводилась шлифовка образцов абразивным порошком и полировка алмазными пастами механическим способом. Образцы изготавливались в форме параллелепипедов размерами 3×1x2, 3 мм и пластинок толщиной толщиной 0,1 мм.

Для электрических измерений образцы приклеивались к слюдяной подложки, а электрические контакты к образцам выполнялись за искророзряднимметодом.

Измерение спектров поглощения проводилось по стандартным методом с синхродетектуванням.

Результаты эксперимента

В таблице 1 представлен энергии оптической ионизации и термической энергии активации для образцов ZnSe-Ga2Se3-SnSe2 .

Таблица 1

Зависимость энергии ионизации (активации) от компонентного состава образцов

Компонента 80% SnSe2

20% Ga2Se3 77% SnSe2

23% Ga2Se3 75% SnSe2

25% Ga2Se3 1% ZnSe

75% SnSe2

24% Ga2Se3 1% ZnSe

77% SnSe2

22% Ga2Se3 82% SnSe2

18% Ga2Se3

Номер образца № 6 № 11 № 12 № 13 № 14 № 20

Eg, eV

(T = 300K) 1,45 1,45 1,45 1,72 1,52 1,52

Eg, eV

(T = 77K) 1,72 1,72 1,6 1,78 1,72 1,72

Страница: [1] [2]

версия для печати