На сайте 100500 рефератов в 150 категориях	Искать реферат
Рефераты на 5 с плюсом С нашим сайтом написать реферат проще простого

Электропроводность и оптическое поглощение стекол системы ZnSe-Ga2Se3-SnSe2

Категория: Физика, Астрономия

версия для печати

Страница: [1] [2]

Egt, eV 0,44 0,4 ??0,44 0,5 0,59 0,39

На рисунке 2 представлен графическую зависимость энергии оптической ионизации и термической энергии активации от компонентного состава образцов .

На рисунке 3, 4 показано спектральное распределение коэффициента поглощения стекол системы ZnSe-Ga2Se3-SnSe2 при Т = 77К и Т = 300К. Как видно из полученных зависимостей,при обоих температурах оптическая энергия ионизации зависит от компонентного состава. Из приведенных зависимостей видно, что край фундаментального поглощения смещается в коротковолновую область при понижении температуры от комнатной до температуры жидкого азота примерно на 0,15 эВ.

На рисунке 5 представлены температурные зависимости удельной электропроводностидля стекол системы ZnSe-Ga2Se3-SnSe2 в интервале температур 0-150 0С. Для тройной системы ZnSe-Ga2Se3-SnSe2 (рис. 5) хорошо разделяются два наклоны температурной зависимости, причем при Т> 355 К электропроводность значительно быстрее растет с повышением температуры и термическая энергия активации составляет 0,5 эВ для стекол 1% ZnSe — 75% SnSe2 — 24% Ga2Se3и 0,59 эВ для 1% ZnSe — 77% SnSe2 — 22% Ga2Se3.

Обсуждение результатов эксперимента

Для плотности состояний в аморфных полупроводниках действуют такие механизмы проводимости, которые можно обнаружить в соответствующих интервалах температур [1].

И. Для высоких температур проводимость обусловлена ??носителями заряда, возбужденныхза край подвижности в нелокализованных состояния с энергией, большей Эс. Проводимость тогда имеет вид:

,

где (мин — минимальная металлическая проводимость при нулевой температуре (Е = ЕС). Величина (ЕC-ЕF) — линейная функция от Т для высоких температур, поэтому графику зависимости ln (от 1 / Т должна быть прямая линия.

II. Проводимость связанас носителями, возбужденными в локализованные состояния у краев зон. Эта проводимость имеет прыжковый характер с энергиями вблизи ЕА. Для такого процесса имеем:

,

где (1 — энергия активации прыжка, ЕА — энергия носителей в «хвосте» локализованных состояний, ЕF — энергия Ферми. Энергия (1 при понижении температуры уменьшается, так как при этом изменяетсядлина прыжка. Но поскольку основной вклад в проводимость вносит член, который отвечает за активацию носителей в нелокализованных состояниях, мы снова линейную зависимость ln (от 1 / Т, только с другим наклоном. Величина (1 меньше (мин-за меньшей плотности состояний вблизи энергии ЕА ( «хвоста» локализованных состояний носителей зарядов) и из-за меньшей подвижностиносителей заряда.

III. Если плотность состояний на уровне Ферми ЕF конечна, то в проводимость будут вносить вклад носители заряда с энергией вблизи ЕF. Эти носители могут совершать прыжки между локализованными состояниями. Этот вклад в проводимость можно записать так:

,

где — (2

Страница: [1] [2]

версия для печати