На сайте 100500 рефератов в 150 категориях	Искать реферат
Рефераты на 5 с плюсом С нашим сайтом написать реферат проще простого

Особенности оптического поглощения сплавов Cu2Se - HgSe - GeSe2

Категория: Физика, Астрономия

версия для печати

Страница: [1] [2]

В багатодолинному полупроводнике разные долины характеризуются различными коэффициентами Е1, с, Е1, v (формула 3). Поэтому возможны случаи:

представлен в таблице 2.

Таблица 2

Зависимость температурной деформации от состава

приобретает как положительных, так и отрицательных значений. Выражение (2) допускает возможность таких случаев.

Сравнимспектральное распределение коэффициента поглощения стекол за изоконцентра-тами (мол.% Cu2Se = const) при различных температурах: Т = 77К и Т = 290К (рис. 7). На участке с энергией фотонов выше «экспоненциального хвоста» наблюдается уменьшение коэффициента поглощения при температуре жидкого азота, по сравнению со значением (при нормальных условиях. То же самое происходитна участке графика в инфракрасной области спектра при ((1,9 мкм. Как известно, коэффициент поглощения пропорционален интегралу по всем возможным параметрам состояний, разделенные энергией h (, от произведения плотностей начальных и конечных состояний [5]. Кроме того, если переходы происходят с участием фононов, то коэффициент (пропорциональный вероятности взаимодействияс фононами, которая сама является функцией числа фононов Np энергией Ep, т.е. ((Np). Благодаря вышеизложенным соображениям, конечная формула коэффициента поглощения для переходов с поглощением фонона имеет вид:

((h () (Np (( h (- Eg + Ep) 2 (4)

Формула (4) определяет зависимость (= ((h () для косвенных переходов между косвенными долинами.

— числофононов, подлежащей статистике Бозе — Эйнштейна.

Такую же зависимость ((h () получили Н. Мотт и Э. Дэвис [2] для стеклообразных полупроводников с энергией h (выше «експонецийного хвоста»:

((h () ((h (- E0) 2,

где Е0 — величина щели подвижности.

Выводы

( 3) для различного компонентного состава стекол (табл. 2)можно связать с заменой одних переходов между энергетическими уровнями другими. Энергия оптической ионизации Eg в изоконцентратах HgSe и Cu2Se (рис. 5, 6) уменьшается и приобретает минимальное значение при приближении к границе склоутворення.

Литература

Olekseyuk D., Parasyuk OV, Bozhko VV, Petrus ’II, Halyan VV Physico-chemical and physicalproperties of glasses of the HgSe — GeSe2 system / / J. Functional materials. 1999 .- № 3 .- Р. 550 — 553.

Мотт Н., Дэвис Э.. Электронные процессы в некристалических веществах: Т.1. Пер. с англ. — М.: Мир, 1974. — 472 с.

Оптические свойства полупроводников / Под ред. Р. Уиллардсона, И.А. Бира. — М.: Мир, 1970 .- 368 с.

Bardeen J., ShocleyW. / / Phys. rev. — 1950. — № 80. — Р. 72

Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. — М.: Мир, 1973. — 456 с.

Страница: [1] [2]

версия для печати