На сайте 100500 рефератов в 150 категориях	Искать реферат
Рефераты на 5 с плюсом С нашим сайтом написать реферат проще простого

К вопросу динамического подпорогового дефектообразования в вузькозоннихнапівпровідниках АIIIВV

Категория: Физика, Астрономия

версия для печати

Страница: [1] [2] [3]

Литература

Курбатов Л.Н., Стоянова И.Г., Трохимчук П.П., Трохин А.С. Лазерный отжиг полупроводни-ковых соединений элементов АшВv / / ДАН СССР. — 1983. — Т.268. — Вып.3. — С.594-597.

Трохимчук П.П. Полиметрических моделюванння информационных и физических процессов. — М.: Башня, 1999. — 344 с.

Трохимчук П.П. Разработка основ теории нестандартногомоделирование информационных и физических процессов. Диссертация ... далее техн. н. — М.: Гос. техн. ун-тет, 1994. — 280 с.

Зельдович Я.Б. Высшая математика для начинающих и ее применения в физике. — М.: Наука, 1970. — 560 с.

Маделунга А. Физика полупроводниковых соединений элементов ИИИ и V групп. — М.: Мир, 1967. — 477 с.

БаранскийП.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. — К.: Наук. мысль, 1975. — 703 с.

Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников. — К.: Наук. мысль, 1979. — 336 с.

Wantelet M., Faily-Lovatto M., Lande LD Dangling bonds in Si and Ge during laser irradiation. Phys.C.: Sol.-St.Phys., V.13, 1980. -P.5505-5514.

Bahir G., Kalish R. cw CO2 ruby ??laser annealing of ion-implanted Hg1xCdxTe / / Applied Physics Letters .- 1981. — № 9.-V.39 .- P. 730-732.

В Mg + / InSb после облучения импульсами рубинового / 3 / и лазера на СО2 / 4 /

0,75

0,5
< br> 0,25

0

10-2 10-1 10010

1015

1013

1011

Страница: [1] [2] [3]

версия для печати