На сайте 100500 рефератов в 150 категориях	Искать реферат
Рефераты на 5 с плюсом С нашим сайтом написать реферат проще простого

Расчет вольтамперной характеристики солнечного элемента при врахуваннi изменения поверхностной рекомбiнацiи с приложенным напряжением

Категория: Физика, Астрономия

версия для печати

Страница: [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7]

Рис. 20

Рис. 21

Рис. 22

Рис. 23

Рис. 24

3.3. Результаты и их обсуждение

Расчеты темновых вольт-амперных характеристик проводились при таких параметрах модели: (= 0.3мкм, h = 210мкм, ln = 300мкм, lp = 10мкм, соответственно (/ lp = 0.03, h / ln = 0.7, т.е. толщина емiтера была значительно меньше дифузiйнои длины дiрок, а длинабазы тоже была меньше дифузiйнои длины электронов. А как следует из формулы для is, именно при таких отношение дифузiйнои длины носителей заряда и толщины емiтера или базы, можно ожидать влияния скорости поверхностной рекомбiнацiи на ток насыщения ВАХ.

Равные легирования базы были такими 1015см-3 и 4.1014см3 . Скорость поверхностной рекомбiнацiипри V = 0 принималась равной 104, 105, 106 см / сек, также считалось, что при прикладеннi напряжения.

Характер фронтального контакта отвечал омiчному контакта быстрым запорно изгибом зон: (01 = 0.3; 0.4; 0.5eV, тыловой омiчний контакт также считался имел не большой запорно изгиб (0.2eV).

Из приведенных рисунков видно, что ток насыщения ВАХ увеличиваетсяс увеличением скорости поверхностной рекомбiнацiи, причем отметим, что изменение S (приводит к более заметной изменения тока чем Sh. Например, Сравните рисунки 14 и 15, 10 и 13, 6 и 8. Это обусловлено тем, что а в соответствии с формулой (2 ) is чувствует изменение S, когда i кроме того.

На некоторых кривых (рис.6, 10,18) на ВАХ наблюдается двойнойизгиб, что обусловлено зависимостью от напряжения тока насыщения: при увеличении напряжения, в результате зависимости скорости поверхностной рекомбiнацiи от напряжения, ток насыщения уменьшается. Интервал напряжений при котором это наблюдается зависит как от параметра полупроводника так i от свойств омiчних контактов.

Были также рассчитаны световыеВАХ (Рис. 19-24). Отметим, что ток короткого замыкания при выбранных толщинах областей pn перехода и для выбранных значений S изменялся с S очень мало, (расчеты проведены для АМ1.5 при Рпад = 100мВт/см2). По световым ВАХ были рассчитаны параметры солнечных элементов Iкз = 0.0327 (0.033, Vxx = 0.62 (0.78V, FF = 0.58 (0.75, (= 0.14 (0.17.

Выводы.

1.Поведенi расчеты темновых и световых вольт-амперных характеристик солнечных элементов на основе скорости поверхностной рекомбiнацiи на фронтальном и тыловом контактах.

2. Ток насыщения вольт-амперных характеристик увеличивается с увеличением скорости поверхностной рекомбiнацiи. При выбранных параметрах структуры и полупроводникаскорость поверхностной рекомбiнацiи на фронтальном контакте больше влияет на is чем скорость поверхностной рекомбiнацiи на тыловом контакте.

3. Учета зависимости скорости поверхностной рекомбiнацiи на омiчних контактах от напряжения изменяет общий вид ВАХ, что обусловлено изменением с напряжением тока насыщения pn перехода.

Список лiтерауры.

1.А.М. Васильев, А.П. Ландсман «Полупроводниковые фотопреобразователях». М.: Советское радио. 1971 г.

2. С.М. Зы. М.: Энергия. 1973 г.

3. В. I. Крышей «Солнечная энергетика i проблемы их развития». М.:. 1983г.

4. В.И. Чердаке, С.С. Кильчицкая. Санкт-Петербург.: Энергоатомиздат. 1992 г.

5. М.М. Колтун. М.: Энергоиздат.1982г.

6. М.О. Дикий «Поновлювальнi источники энергии». М.: Просвещение. 1993

7. В. Субашиев. Л. [ЛОНТП]. 1956 г.

8. В.И. Чердаке. ФТП, т.1, № 7, 1967 г.

9. В. I. Крышей «Рекомбiнацiя на контакте металл-полупроводник». Вестник Киевского Университета, серия физики, № 10, 1969 г.

10. Е.А. Андрюшин, А.П. Симин. Успехифизических наук, т. 161, № 8, 1991 г.

41

2

Страница: [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7]

версия для печати