На сайте 100500 рефератов в 150 категориях	Искать реферат
Рефераты на 5 с плюсом С нашим сайтом написать реферат проще простого

Расчет вольтамперной характеристики солнечного элемента при врахуваннi изменения поверхностной рекомбiнацiи с приложенным напряжением

Категория: Физика, Астрономия

версия для печати

Страница: [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7]

Поэтому в работе была поставлена ??задача провести расчеты темновых и световых ВАХ кремниевую солнечных элементов на основе изменения швидкотi поверхностной рекомбiнацiи на фронтальном и тыловом контакте. Проанализировать влияние свойств этих контактов (обедненный или обогащенный изгиб зон) и других параметров полупроводника на ВАХ.

3.2. Используеммодель pn перехода и методику расчета.

Для описания вольт-амперных характеристик (ВАХ) солнечных элементов (СЭ) в последний время используется двохдiодна или двохекспоненцiйна модель:

I = Is1 (e (eV- IRs) / n1KT-1) + Is2 (e (V-IRs) / n2KT-1) + (V-IRsh) / Rsh (1)

Первый член соответствует рекомбiнацiйному тока i соответственноn1 = 2, второй — iнжекцiйному тока с n1 = 1, i третий-ток через шунтирующий сопротивление Rsh .. Величины факторов неiдеальностi ВАХ n1 i n2, которые при этом получаются,. Отличаются от теоретических. Как правило n1> 2, a n2> 1. Различия ексререментальних i теоретических значений может быть связано с тем, что в большинстве своей методики определения параметров ВАХ (Is1,Is2, n1, n2, Rs, Rsh) основываются на том, что считаются эти параметры независимыми от приложенного напряжения. Но, это не совсем оправдоване.Так, например Is2 зависит от скорости поверхностной рекомбiнацiи на фронтальнiй i на тыловой стороне, которая может изменяться с приложенным напряжением.

В этой работе поверхностный расчет (моделирование)ВАХ солнечных элементов при урахуваннi зависимости скорости поверхностной рекомбiнацiи на фронтальнiй i тыловой стороне от приложенного напряжения.

Рис.5. Структура солнечного элемента

Расчет выполняется для структуры солнечного элемента, выполненной на (рис 1). Толщина емiтера равна w, толщина базы — h. Если толщина емiтера меньше или равнадлине диффузии дирок lp то ток насыщения емiтера зависит от скорости поверхностной рекомбiнацiи дирок на фронтальнiй поверхности — Sw. Аналогично ток насыщения базы будет функцией скорости поверхностной рекомбiнацiи электронов на тыловой поверхности — Sh при условии, что h

Страница: [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7]

версия для печати