На сайте 100500 рефератов в 150 категориях	Искать реферат
Рефераты на 5 с плюсом С нашим сайтом написать реферат проще простого

Расчет вольтамперной характеристики солнечного элемента при врахуваннi изменения поверхностной рекомбiнацiи с приложенным напряжением

Категория: Физика, Астрономия

версия для печати

Страница: [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7]

E00 = eh (пNd / Emеф) 1 / 2

Для омiчного контакта на тильнiй стороне формулы [5.7] будут при соответствующей замене Nd на Na i Vn на Vp.

Плотность тока pn перехода принималась равной:

I2 = is2 (1-e-(eV2/KT)) (8)

Где Is определяется выражением (2) при Sh, w = Sh, w0.

Расчет производится при следуя параметраммодели 105см / с.

Особенности омiчних контактов изменялись. Омiчний контакт на фронтальнiй стороне характеризуется слабым запорно изгибом зон с? 01 = 0,2:0,6 эВ. Особенности омiчного контактана тильнiй стороне изменялись от антизапiрного изгиба зон до запорного с? 03 = 0,05:0,4 эВ; изменялась также концентрация легирующих примесей с 1016 до 1018см-3 (последнее значение может быть при образовании или BSF слоя). Принималось также, что а1/а2 = 0,1; А3 = А2.

Расчетные ВАХ при различных параметрах омiчного контакта на фронтальнiй i тыловой сторонепоказаны на (рис.1). Видно что части ВАХ с n> 2 наблюдаются на большем интервале напряжения. Чем больший омiчний контакт (большая высота потенцiального барьера? 01 или? 03), с уменьшением потенцiального барьера на омiчному контакте этот участок или значительно уменьшается или исчезает совсем (рис. 1.в). Если на тыльной контакте реалiзувався антизапiрний изгибзон, или большой уровень пiдлегування, то участок с n> 2 совсем не наблюдается (рис. 3).

Рис. 6

Рис. 7

Рис. 8

Рис. 9

Рис. 10

Рис. 11

Рис. 12

Рис. 13

Рис. 14

Рис. 15

Рис. 16

Рис. 17

Рис. 18

Рис. 19

Страница: [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7]

версия для печати