На сайте 100500 рефератов в 150 категориях	Искать реферат
Рефераты на 5 с плюсом С нашим сайтом написать реферат проще простого

Расчет вольтамперной характеристики солнечного элемента при врахуваннi изменения поверхностной рекомбiнацiи с приложенным напряжением

Категория: Физика, Астрономия

версия для печати

Страница: [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7]

Из этих формул видно, что большие Iкз соответствуют большим значениям IL, а для получения большим Vхх необходимые большие значения параметра n и отношение IL / IS, то есть большие высоты потенциального барьера. Общий вид ВАХ зависит также от величины n. Чем меньше n, тем в большей мере форма мировой ВАХ приближается к прямоугольной.

Для реальногоСЭ в эквивалентные схеме следуют также учесть шунтирующий сопротивление RSh, влючений параллельно барьерном слоя, и последовательный сопротивление объема полупроводника RS и контактов (рисунок 3). В этом случае ток в опорi нагрузки

I = IK — ISh — IL (1.6)

а выражение ВАХ принимает вид

(1.7)

Общийвид ВАХ для разных значений RS, i RSh изображены на рис.2. Из рисунка видно, что шунтирующий i последовательный опоры ухудшают ВАХ. При этом шунтирующий сопротивление способствует на форму ВАХ меньше, чем последовательный сопротивление.

Запишем выражение для Iкз

(1.8)

а значение Vхх отражается формулой

(1.9)

В этом случаекак величина Vхх, так i величина Iкз обусловленные параметрами ВАХ: n, IS, а также величиной опорiв RS и RSh. Так, например, ток Iкз возрастает для меньших значений RS и большего значений RSh. Величина Vхх растет при росте RSh.

(1.10)

где R (hv) — доля фотонов, которые отражаются от поверхности, Nc (hv)- Плотность фотонов в единичном интервале энергии, которые падают на единицу поверхности СЭ в единицу времени, Q (hv) спектральный отзыв или эффективность сбора фотоносiив заряда. Идеальный СЕ характеризуется Q = 1 для hv (Еg и Q = 0 для hv

Страница: [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7]

версия для печати