Температурно-электрическая неустойчивость (ТЭН) в полупроводниковых монокристаллах CdSb
Страница: [1] [2]
Бахадырханов М.К., Камилов Т.С. / / ФТП, 1976, 10, в.4, с.760 −761.
Бахадырханов М.К., Закриллаев И.Ф. / / ФТП, 1984, 18, в.12, с.2220-2221.
Бахадырханов М.К., Аскаров Ш.И., Нигманходжаев С.С. / / ФТП, 1987, 21, В.7, с.1315-1317.
Голик Л.Л., Гутман М. М., Паксеев В.Е. и др. / / ФТП, 1987, 21, в.8, с.1400-1403.
Карпова И.В., СыровегинС.М. / / ФТП, 1982, 16, В.9, с.1601-1605.
Чистохин А.В. / / ФТП, 1992, 26, В.9, с.1529-1535.
Курова И.А., Калашников С.Г. / / ФТТ, 1963, 5, в.11, с.3224-3230.
Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. — М.: Наука, 1972. — 584 с.
Рис 2. Вольтамперные характеристики образца CdSb + 0,05% Тe вразличных криогенных жидкостях: 1 — жидком азоте Т = 77 К, 2 — жидком аргоне Т = 87 К, 3 — жидком кислороде Т = 90 К
Рис 1. Зависимость вида статических ВАХ от концентрации примеси в монокристаллах CdSb: 1 — 0,5% То, 2 — 0,05% То, 3 — 0,005% То
Страница: [1] [2]
версия для печати
Читайте также:
— Большие фальсификации христианства
— Языковые реaлии и проблемы их перевода
— Фискальная политика в Украине: проблемы и перспективы
— Романтизм в Украине
— К проблемам отношений собственности в аграрной сфере Украины
|
|